Challenge
Dielectric CMPは、厚くデポされた絶縁膜厚膜をターゲット膜厚、平坦化のための技術です。CMPプロセストの厳密な制御は、デバイスの電気特性を設計どおりに達成し、高い歩留まりを維持する上で不可欠です。デバイスのデザインルールが小さくなるにつれ、エラー・バジェットも小さくなります。したがって、均一性を維持することが困難となり、プロセス制御の条件がさらに厳しくなります。



Solution
NOVAは、CMPプロセスコントロールのマーケットリーダーです。NOVAのIM装置は、高い精度と最大200 WPHの高スループットにより、CMPプロセスのクローズド・ループ制御（CLC）を可能にし、ウエハ面内およびウエハ間の膜厚均一性向上を提供します。CLCの導入は、リワーク数を減らし、歩留まりを向上させるとともに、CMPのサイクル時間を短縮し、総スループットを高めます。ロット間制御が必要な場合は、NOVAのスタンドアロン計測装置が、最大150 WPHのスループットと業界をリードするフリート（ツール間）マッチングによりコスト効果の高いソリューションとなります。
デバイスの微細化につれ、NOVAの計測ソリューションは、ソリッド・パッドに限らず、2D、3Dテスト構造やダイ内にも適用可能となります。